アバランシェ フォト ダイオード。 フォトダイオード

フォトダイオードの構造と特徴

ちなみに、アバランシェとはのこと。 【0014】 また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記p型半導体光吸収層内の前記バンドギャップ傾斜層方向へのドーパント濃度が、均一分布もしくは傾斜分布を有することを特徴とする。 1 0. And, we believe your current and future visits will be enhanced if cookies are enabled. またウエハーから製造している強みからカスタムでの製造もお請けしております。 なお、今回のセンサーはあくまで現在のセンサーで足りない部分である「夜間」で「遠いところ」を見ることにフォーカスしたものだが、近いところを見ることに比重を置くことも可能だとのこと。 【0019】 さらに、請求項7に記載の発明は、請求項6に記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記第1のメサ構造の上面の外周部の領域にガードリングを備え、当該ガードリングが、前記p型半導体光吸収層の単層構造もしくは当該p型半導体光吸収層と前記バンドギャップ傾斜層の積層構造を有するメサストライプ状の第1のガードリング、または、前記第1のメサ構造の上面から前記電界制御層の一部または全部を掘り込んだ形状のリセス状の第2のガードリングのいずれか一方もしくは双方で構成されていることを特徴とする。 言い換えると、をからみて正電圧となるように接続する。

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2.5 Gbps InGaAs APD 裏面入射型チップ、チップオンキャリア:(株)ゴ―フォトン:茨城県つくば市

000 description 1 Images• 一般のの価格が数百円~であるのに対し、従来100万円以上と非常に高価であったが最近になって1万円程度の物も販売されている(2007年4月)。 フレームレートは現在は試作品のため5フレームだが、今後は高速化する。 First party cookies. 実際にはどのダイオードにも両方の効果が存在するが、ふつうはどちらかが優勢である。 PIN-PDでは絶縁性のi層に電圧をかけて使用します。 縦軸は光電変換後の電気信号および熱雑音のレベル、横軸は周波数です。 【 IMV 】. たとえば、ブリッジ用RF源としてよく用いられる。 org, which contains comprehensive information on how to do this on a wide variety of desktop browsers. PN型半導体ではpn接合付近に電子もホールもない空乏層とよばれる領域ができますが、PIN-PDでは空乏層の代わりに電子もホールもないi型半導体を予め作っておいた構造といえます。

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Avalanche Photodiodes

19 — 1. 【0028】 図1(b)に示した本発明のAPDの動作時のバンドダイアグラムと、図4(b)に示した従来のAPDの動作時のバンドダイアグラムとを比較すると、これらの光吸収層107、406内のバンド状態が大きく異なる。 例えば、この表ではSi PN-PDの受光波長帯は0. ちなみに、アバランシェとはのこと。 【0007】 図4は、従来型のAPDの構造例を説明するための図で、図4(a)はAPDの断面図、図4(b)はこのAPDに電圧を印加した状態でのバンドダイアグラムである。 These cookies are implemented by organizations outside Hamamatsu. アバランシェ降伏は、ダイオードが過熱しない限り、破壊的でない。 これに対して増倍されるAPDでは、高周波数帯域でもSN比を確保できます 緑矢印。 【0024】 光吸収層107で発生したホールは多数キャリアであるから、発生するホール電流は光吸収層107が電気的中性となるように振る舞うのみであり、光吸収層107内で発生するホールがAPDの応答速度に関与することはない。 【 ヨコオ 】• この電界強度は電圧換算で8V以上に相当するから、なだれ増倍層の電圧を加えた素子バイアスは通常25V程度となる。

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アバランシェダイオード

230000031700 light absorption Effects 0. 今後のスケジュールについては、2019年度を目処に機能サンプル提供を検討する。 ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。 夜間をターゲットにしているため、昼間に関しては今後の課題とする。 3〜1. 半導体中に大きながあると、の衝突によって発生するが加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。 PDは、光量計測、イメージ計測、DVDのピックアップ、における光信号検出など多くの分野で使われている光検出器で、主なタイプにPN型PD、PIN型PD、APD(Avalanche photodiode の3つがあります。 In our analytics cookies, we do not store any personal identifying information. 出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。

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APD

【 東陽テクニカ 】• APDでは、強い電界をかけることで、半導体原子への光子の衝突によって発生する電子が加速され、他の半導体原子と衝突し、更に複数の電子を喚起していきます。 n型半導体には動きやすい電子が多いため一部がp型半導体に移動してホールと結合し電荷を打ち消し合い空乏層と呼ばれる領域ができます。 UV-AからUV-Bまでの紫外線領域の紫外光を検知するシリコンを利用した紫外線フォトダイオード 複数のガイガーモードAPD アバランシェ・フォトダイオード のピクセルから成り、常温で使用できるフォトンカウンティング・デバイス 近赤外光検出素子 APD アバランシェ・フォトダイオード は、逆バイアスを印加することにより光電流が増倍される高速・高感度のフォトダイオード。 RFノイズ生成 [ ] アバランシェダイオードは のノイズを生成するので、ラジオ装置のノイズ源として用いられる。 して記事の信頼性向上にご協力ください。 aboutcookies. 電子雪崩 Avalanche は加速された電子が半導体の原子に衝突して電子、ホールを生成し、生成した電子がまた別の原子に衝突して次々電子、ホールを発生させていく現象です。 239000002356 single layers Substances 0. 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

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JP2004031707A

239000002184 metal Substances 0. フォトダイオード PD の大切な特性に受光感度、暗電流(ノイズ)、応答速度があります。 すなわち、最適値よりも光吸収層内の電界が強くなると暗電流レベルが高くなり易く、逆に光吸収層内の電界が弱すぎると応答帯域が低くなり易いために、一般には、良好な再現性/制御性を実現するのは困難であるのが現状である。 【0022】 バンドギャップ傾斜層106および電界制御層104の各々のドーパント濃度分布は、APD動作状態における光吸収層107の、バンドギャップ傾斜層106との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定されている。 239000000463 materials Substances 0. 4 — 1. JP2004031707A - アバランシ・フォトダイオード - Google Patents JP2004031707A - アバランシ・フォトダイオード - Google Patents アバランシ・フォトダイオード Info Publication number JP2004031707A JP2004031707A JP2002186961A JP2002186961A JP2004031707A JP 2004031707 A JP2004031707 A JP 2004031707A JP 2002186961 A JP2002186961 A JP 2002186961A JP 2002186961 A JP2002186961 A JP 2002186961A JP 2004031707 A JP2004031707 A JP 2004031707A Authority JP Japan Prior art keywords layer type semiconductor electric field band gap light absorption Prior art date 2002-06-26 Legal status The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. 増幅は電子雪崩によって起こります。 230000001276 controlling effects Effects 0. 000 claims abstract description 9• 【0018】 また、請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記積層構造が、前記p型半導体電界緩衝層もしくは前記バンドギャップ傾斜層を上面とし前記半絶縁性半導体なだれ増倍層を下面とする第1のメサ構造と、前記p型半導体電極層を上面とし前記バンドギャップ傾斜層もしくは前記p型半導体光吸収層を下面とする第2のメサ構造とから構成されており、当該第2のメサ構造が、前記第1のメサ構造の上面の外周部に一定の幅を有するように配置されていることを特徴とする。 Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed. networkadvertising. 2021年度までに顧客提案活動を開始するという。 000 claims abstract description 41• 【 シリコン・ラボラトリーズ 】• 238000009826 distribution Methods 0. アバランシェダイオードは生成器にも使われる。

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APD

These cookies record your visit to our website, the pages you have visited and the links you have followed. また、光吸収層となだれ増倍領域の間に設けられる電界制御層のp型不純物濃度と厚さに強く依存するため、電界制御層の形成には高精度の不純物濃度制御と層厚制御が求められる。 一方、APDでは、信号が増倍されるため 赤線 、熱雑音 灰線 に埋もれにくくなります。 【0011】 特に、光吸収層にバンドギャップの小さなInGaAsを用いたAPDでは、なだれ増倍層内のみならずInGaAs光吸収層内でもなだれ増倍現象が生じて暗電流がレベルが高くなり易いという問題があった。 同社は光電子センサデバイス、モジュール、システムメーカーです。 9 — 1. このため、このAPDに電極層102および109から逆バイアスを印加すると各層内のエネルギーバンドは図1(b)に示すような状態となり、非動作時においてp型を示す光吸収層107内のエネルギーバンドはバンドギャップ傾斜層106との界面近傍を除いて勾配をもたないフラットな状態となり、動作時における光吸収層107は、そのバンドギャップ傾斜層106との界面近傍以外の領域で電気的に中性となる。 You can visit this page at any time to learn more about cookies, get the most up to date information on how we use cookies and manage your cookie settings. 000 claims description 2• 応答速度は半導体内を移動する電子の速度によります。 ・出力信号は入射信号と位相が逆転する。

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